Вчені випадково підвищили провідність кристала в 400 разів

Вчені випадково виявили, що електропровідність кристала підвищується в 400 разів, якщо його виставити під світло – за допомогою цього ефекту фізики зможуть значно підвищити ємність та швидкість запам'ятовуючих пристроїв; результати дослідження опубліковані в журналі Physical Review Letters.

Меріен Тарун (Marianne Tarun) з університету штату Вашингтон (США) та її колеги проводили дослідження титанату стронцію. У ході роботи вони помітили, що його електропровідність раптово збільшилася. Спочатку вони не могли зрозуміти, в чому справа, і лише потім з'ясували, що електропровідність зростала, коли кристали опинялись на світлі.
Тоді вчені провели експеримент: залишили кристали під яскравим світлом на 10 хвилин, а потім прибрали в темряву. Виявилося, що ефект підвищення електропровідності триває кілька днів – дослідники пояснюють це тим, що світло вивільняє електрони в матеріалі, дозволяючи їм переносити більше електричного струму.
Ця здатність, так звана залишкова фотопровідність, не має нічого спільного з надпровідністю – повною відсутністю електричного опору, якої фізики можуть досягти тільки при температурах, близьких до абсолютного нуля, – свій ефект Тарун та її колеги виявили при нормальних умовах.
"Поява цього ефекту при кімнатній температурі відкриває нові можливості. У стандартній комп'ютерній пам'яті інформація накопичується на поверхні мікросхем або жорстких дисків, а на пристроях з використанням залишкової фотопровідності інформація може зберігатися в усьому кристалі", – вважає Меттью МакКласкі, співавтор дослідження, слова якого наводяться в повідомленні університету.
Цей підхід отримав назву голографічної пам'яті: він вважається потенційною заміною технологій підвищеної ємності даних. Так, якщо зараз на магнітних та оптичних носіях дані записуються в один-два шари, то в голографічній пам'яті вони будуть записуватися по всьому об'єму пристрою, а швидкість запису і читання інформації підвищиться.

15.11.2013 10:46, за матеріалами: РИА "Новости"